Samsung bắt đầu sản xuất bộ nhớ Flash NAND 3-bit 128GB

Samsung, một trong những nhà sản xuất đứng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ 128GB 3-bit NAND Flash đa tế bào sử dụng quy trình công nghệ 10nm.

Những bộ nhớ Flash 128GB có sẽ được nhúng vào ổ SSD dựa trên giao diện chuyển đổi DDR 2.0. Nhờ vậy, nó tự hào có một tốc độ truyền tải lên đến 400Mbps (400MB trên một giây).

Bộ nhớ mới cũng sẽ mở rộng việc cung cấp ổ SSD 500GB ra thị trường với chi phí rẻ hơn.

Bộ nhớ Samsung Flash NAND 3-bit 128GB

Công nghệ 10nm sẽ dần cho phép các nhà sản xuất ổ SSD sử dụng một nửa bộ nhớ Flash vào trong ổ đĩa của họ.

Bằng cách giới thiệu bộ nhớ thế hệ tiếp theo như chip nhớ Flash 128GB, Samsung đã thực hiện rất thành công việc đáp ứng nhu cầu của khách hàng ngày càng tăng. Các chip nhớ mới là một sản phẩm quan trọng trong tiến trình phát triển của bộ nhớ NAND Flash. Bộ nhớ cao hơn cũng giúp sản phẩm của họ có sức cạnh tranh tốt hơn trong thị trường.

Bộ nhớ mới sẽ được nhúng vào ổ SSD

Samsung cũng dự định sẽ tiếp tục giới thiệu ổ SSD hàng đầu của mình cùng các giải pháp lưu trữ bộ nhớ nhúng với các tính năng mới để đầy mạnh thị trường bộ nhớ cao cấp hơn nữa.

Hữu Tình