Samsung sản xuất bộ nhớ trong 384GB cho thiết bị di động

Smartphone và tablet tương lai sẽ có bộ nhớ trong cực lớn, nhờ Samsung.

Đầu tuần này, Samsung đã chính thức công bố họ bắt đầu sản xuất hàng loạt “những chip nhớ flash có các lớp được sắp xếp theo không gian 3 chiều đầu tiên, phá vỡ giới hạn hiện tại của công nghệ chip nhớ NAND”.

Chip nhớ mới của Samsung, có tên gọi 3D V-NAND – theo 9to5Google – sẽ có thể đạt dung lượng lưu trữ tối đa ở mức 384GB nhờ “24 lớp chip nhớ, mỗi lớp 16GB được xếp chồng vào nhau trong không gian 3 chiều”. Nhờ đó tận dụng tối đa không gian của một chip nhớ mà vẫn không làm nó “phình to” ra hơn bình thường.

Samsung cho biết họ sẽ tiếp tục nghiên cứu để nâng cao hiệu năng cũng như tăng mật độ các lớp bộ nhớ, đóng góp thêm vào sự phát triển của ngành công nghiệp sản xuất bộ nhớ cho thiết bị di động. 3D V-NAND của Samsung hiện tại sử dụng công nghệ 20nm và họ có tham vọng thu nhỏ gấp đôi con số này – 10nm – trong thế hệ chip nhớ tiếp theo.

Không chỉ nâng dung lượng lưu trữ lên mức khó tin, theo Samsung, chip nhớ 3D V-NAND mới của họ còn bền hơn dòng NAND cũ tối thiểu 2 lần, tối đa tới 10 lần.

Trong 10 năm nghiên cứu 3D V-NAND, Samsung hiện nắm giữ 300 bằng sáng chế về công nghệ này, được đăng kí trên khắp thế giới. Theo hãng nghiên cứu IHS iSuppli, lợi nhuận của thị trường chip nhớ NAND sẽ đạt xấp xỉ 30,8 tỉ USD vào cuối năm 2016, tốc độ tăng trưởng hàng năm vào khoảng 11%.

Nói riêng một chút về Samsung, với những thành tựu đã đạt được, liệu thế giới có thể mong đợi một chiếc Galaxy S5 với chip 8 lõi thực sự, RAM 3GB và bộ nhớ trong… 384GB.